首页 > 商品目录 > > > > BSS138LT1G代替型号比较

BSS138LT1G  与  BSS138N H6327  区别

型号 BSS138LT1G BSS138N H6327
唯样编号 A-BSS138LT1G A-BSS138N H6327
制造商 ON Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 小信号MOSFET
描述 MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 1.3 mm 1.3mm
正向跨导-最小值 0.1 S -
Rds On(Max)@Id,Vgs 3.5Ω@200mA,5V 3.5Ω@230mA,10V
上升时间 - 3ns
Qg-栅极电荷 - 1.4nC
栅极电压Vgs ±20V ±20V
正向跨导 - 最小值 - 100mS
封装/外壳 SOT-23 SOT-23
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C
连续漏极电流Id 0.2A 230mA
配置 Single Single
长度 2.9 mm 2.9mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 5V -
下降时间 - 8.2ns
高度 0.94 mm 1.10mm
漏源极电压Vds 50V 60V
Pd-功率耗散(Max) 225mW(Ta) 360mW
典型关闭延迟时间 20 ns 6.7ns
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 BSS BSS138
通道数量 1 Channel -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 1mA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 50pF @ 25V -
典型接通延迟时间 - 2.3ns
库存与单价
库存 0 3,000
工厂交货期 56 - 70天 3 - 5天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
BSS138LT1G ON Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

2.9mm SOT-23

暂无价格 0 当前型号
BSS138DW-7-F Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

2.2mm SOT-363

暂无价格 12,000 对比
BSS138N H6327 Infineon  数据手册 小信号MOSFET

BSS138NH6327XTSA2_2.9mm SOT-23

暂无价格 3,000 对比
AO3460 AOS  数据手册 功率MOSFET

SOT-23-3L

暂无价格 0 对比
BSS138-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23-3

暂无价格 0 对比
BSS138NH6327XTSA2 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSS138N H6327_TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售